【48812】毫米波传感器支撑的闪存类型

  经过 QSPI 与传感器衔接。依照每个用户的挑选，sFlash 还可用于存储其他数据。例如，将射频前端校准数据存储到 sFlash 中，并在每次器材启动时射频前端的初始校准周期中经过应用程序进行康复。本应用手册列出了经验证可与合作运用的 sFlash 器材，介绍了其他 sFlash 器材的先决条件，并提到了任何已知问题。

  有关经过 QSPI 接口与 SFLASH 进行时序和衔接要求的概况信息，请参阅器材数据表。

  关于一切指令（包括正常读取指令），SFLASH 器材类型应支撑 40MHz 运转频率。关于 xWR6843 器材，SFLASH 器材类型应支撑一切指令的 80MHz 运转频率。

  SFLASH 支撑 SFDP 指令，并运用与 JEDEC 兼容的有关闪存功用和指令集的信息进行呼应。表 2-1 中列出了解说的要害字段。

  •地址字节数 = 3（一直）。• 关于单一数据线路 SPI 读取 – 读取指令代码 (0xB)，读取虚拟周期（8 位）。

  ROM 辅佐下载应支撑一切闪存类型，这些变体答应运用 1 个虚拟字节和 24 位寻址的“内存映射形式”和“页面程序指令 (0x2)”。

  除了写入闪存之外，ROM 引导加载程序 (RBL) 还支撑设置 Spansion 和 Macronix 类型的“四路使能”位（仅限于某些特定的器材类型）。

  AWR294x/AWR2544 ROM 引导加载程序 (RBL) 具有两个进程，其间应用程序（闪存编程器）在 SOP5 形式下经过 UART 加载到 RAM 中。然后，此应用程序担任经过 UART 读取实践映像（要刷写的图画）并将其下载到闪存。

  AWR294x/AWR2544 RBL 不支撑设置 sFlash 的“四路使能”位。假如闪存类型的 SFDP 标头包括 QE 位方位的信息（以及四形式），则 RBL 将履行并读取该方位以启用/禁用四路形式选项。不然，假如 QE 位方位不存在且SFDP 标头中支撑四路形式，RBL 将假定客户已启用 QE 位并转移到四路形式。

  ROM 引导加载程序依据 SFLASH 发布的用以呼应 SFDP 指令的最高功用形式（四通道、双通道或单通道）履行从闪存读取数据的操作。运用的指令由 SFDP 呼应发布。因而，假如支撑四路读取，预期是闪存中的四路使能(QE) 位已置位。ROM 引导加载程序运用四路形式来履行读取操作。

  闪存供货商具有可订货的器材类型，并设置了四路使能 (QE) 位。TI主张运用这一些类型来与TI毫米波 SOC 合作运用。

  XWR1642 预制器材中的 ROM 引导加载程序与支撑扩展寻址形式的 SFLASH 类型不兼容。详细而言，SFDP 指令呼应的“地址长度数”字段不能为非零。XWR1642 器材中的 SFLASH 可寻址区域总量为 8MB。因而，“地址长度个数”=0（对应 3 字节地址长度）满足可寻址规模。可是，兼容性问题与答应 3 或 4 字节地址长度的类型有关。

  请注意，关于 AWR294x 和 AWR2544 器材，上表中的闪存器材应正常作业。关于上表中的任何闪存类型，QE 位需要由供货商设置或在 sbl_uart_uniflash（闪存写入器）中手动设置。有关编写定制闪存驱动程序的更多信息，请参阅 MCU Plus SDK 自述攻略（适用于 AWR294x 和 AWR2544）。此外，表 2-3 展现了经测验可正常作业的AWR294X ES1.0、AWR294X ES2.0 和 AWR2544 器材支撑的闪存器材。